- 1200-V CoolSiC Trench-MOSFETs für die E-Mobilität
- 600-V-MOSFET für Spannungswandler-Anwendungen
- 75 % höhere Strombelastbarkeit
- CoolSiC-MOSFETs jetzt auch im 650-V-TOLL-Portfolio
- Für hart und resonant schaltende Topologien
- GaN-Leistungsstufen reduzieren Abmessung und Verlustleistung
- Leistungsmodule auf AIN-Substrat
- Power-MOSFETs mit höherer Stromtragfähigkeit
- SiC-MOSFETs: Deutlich mehr Leistung
- Siliziumkarbid-MADK für Servoantriebe