Infineon präsentiert die neuen Siliciumkarbid (SiC)-CoolSiC-MOSFETs 650 V im TO-Leadless- (TOLL) Gehäuse. Sie sind für für Anwendungen wie Stromversorgungen, Server, Infrastrukturen für Telekommunikation, Energiespeichersysteme und Batterieformationslösungen optimiert. Die MOSFETs auf Trench-Basis werden in einem granularen Portfolio angeboten, um unterschiedliche Anwendungen abzudecken. Sie werden im JEDEC-qualifizierten TOLL mit niedriger parasitärer Induktivität geliefert. Das erlaubt eine höhere Schaltfrequenz bei geringeren Schaltverlusten, gutes Wärmemanagement sowie automatisierte Montage.
Die CoolSiC MOSFETs 650 V bieten Zuverlässigkeit in rauen Umgebungen, etwa für Topologien mit wiederholter harter Kommutierung. Durch die innovative .XT-Verbindungstechnologie werden der thermische Widerstand (Rth) und die thermische Impedanz (Zth) reduziert. Darüber hinaus verfügen die neuen Komponenten über eine Gate-Schwellspannung (VGS(th)) von mehr als 4 V, was sie robust gegen parasitäres Einschalten macht. Außerdem enthalten sie eine Body-Diode und ein starkes Gate-Oxid (GOX).
Meist wird eine Abschaltspannung (VGS(off)) von 0 V empfohlen, um die Ansteuerung zu vereinfachen (unipolare Ansteuerung). Das neue Portfolio unterstützt ein breites Ansteuerungsintervall der VGS-Spannung im Bereich von -5 V (Ausschalten) bis 23 V (Einschalten). Das ermöglicht die Kompatibilität mit anderen SiC-MOSFETs und Standard-MOSFET-Gate-Treiber-ICs. Der neue CoolSiC-MOSFET 650 V in industrietauglichen, diskreten TOLL ist in verschiedenen Drain-Source-On Widerstandsoptionen (RDS(on)) von 22 bis 83 mΩ erhältlich. 107-mΩ-, 163-mΩ- und 260-mΩ-Versionen sind auf Anfrage verfügbar.
