STMicroelectronics (ST), europäischer Hersteller von Halbleiterbauelementen und integrierten Schaltkreisen (ICs), kündigt den Bau einer neuen 200-mm-Siliziumkarbid-Fertigungsanlage für Leistungsbauelemente und -module sowie für Test- und Verpackungszwecke in Catania, Italien, an. Die Einrichtung des neuen Siliziumkarbid-Campus unterstützt Kunden für SiC-Bauelemente in den Bereichen Automobil, Industrie und Cloud-Infrastruktur.
Als Zentrum des globalen SiC-Ökosystems von ST integriert der Campus alle Schritte der Produktion. Damit wird erstmals in Europa eine Massenproduktion von 200-mm-SiC-Wafern möglich, bei der in jedem Prozessschritt - Substrat, Epitaxie, Front-End und Back-End - 200-mm-Technologien eingesetzt werden. Die neue Anlage soll 2026 in Betrieb genommen werden. Die Gesamtinvestition wird sich voraussichtlich auf rund 5 Mrd. € belaufen, wobei der italienische Staat im Rahmen des EU-Chipgesetzes rund 2 Mrd. € zur Verfügung stellt.
Catania ist seit langem ein wichtiger Innovationsstandort für ST, denn hier befinden sich die größten SiC-Forschungs- und -Herstellungsbetriebe, die zur Entwicklung neuer Lösungen für die Herstellung von SiC-Bauelementen beigetragen haben. Auf dem Gebiet der Leistungselektronik, einschließlich der Zusammenarbeit zwischen ST und der Universität Catania und dem CNR (Italienischer Nationaler Forschungsrat) sowie einem großen Netz von Zulieferern, wird diese Investition die Rolle Catanias als globales Kompetenzzentrum für SiC-Technologie und für weitere Wachstumsmöglichkeiten stärken.
ST fertigt derzeit seine SiC-Produkte zusätzlich in Ang Mo Kio, Singapur, und in einem Joint Venture mit ‚Sanan Optoelectronics‘ in Chongqing, China. Die Montage und das Testen der Siliziumkarbidprodukte von ST übernehmen die Chipmontagetesteinrichtungen in Bouskoura, Marokko, und Shenzhen, China.
