Als ersten Schritt zu einer möglichen mehrjährigen Lieferkooperation für Siliziumkarbid- (SiC) Halbleiter haben Infineon Technologies und der niederländisch-amerikanische Automobilhersteller Stellantis N.V. ein nicht-bindendes Memorandum of Understanding unterzeichnet. Demnach würde Infineon Fertigungskapazitäten reservieren und in der zweiten Hälfte des Jahrzehnts CoolSiC Bare-Die Chips an die direkten Tier-1-Lieferanten von Stellantis liefern. Das Beschaffungsvolumen und die Kapazitätsreservierung haben einen Wert von mehr als 1 Mrd. Euro.
Peter Schiefer, Division President Automotive bei Infineon„Wir freuen uns, Partnerschaften mit führenden Automobilunternehmen wie Stellantis zu entwickeln“, sagt Peter Schiefer, Division President Automotive bei Infineon. „Im Vergleich zu herkömmlichen Antriebstechnologien erhöht Siliziumkarbid die Reichweite, Effizienz und Leistung von Elektrofahrzeugen. Mit unserer führenden CoolSiC Technologie und kontinuierlichen Investitionen in unsere Fertigungskapazitäten sind wir gut aufgestellt, um die wachsende Nachfrage nach Leistungselektronik für die Elektromobilität zu bedienen."
Infineon und Stellantis sind in Gesprächen über die Lieferung von CoolSiC Gen2p 1200-V- und Gen2p 750-V-Chips unter den Marken von Stellantis. Damit könnte Stellantis Fahrzeuge mit größerer Reichweite und geringerem Verbrauch bauen und würde in dem Vorhaben unterstützt, Plattformen zu standardisieren, zu vereinfachen und zu modernisieren. Infineon bereitet sich mit signifikanten Investitionen auf die steigende Nachfrage vor. 2024 wird eine neue Fabrik für SiC-Technologien in Kulim, Malaysia, die Produktion aufnehmen. Mit der auf mehreren Standorten basierenden Fertigungsstrategie ergänzt Infineon damit die bestehenden Kapazitäten in Villach, Österreich.
