Ein internationales Forschungsteam unter Leitung des Helmholtz-Zentrums Dresden-Rossendorf (HZDR) schlägt ein neues Konzept der Langzeit-Datenspeicherung vor, das auf atomaren Defekten im Halbleitermaterial Siliciumkarbid beruht.
Diese Defekte werden durch einen fokussierten Strahl von Protonen oder Helium-Ionen eingearbeitet (siehe Abbildung). Dieser gewährleistet präzise Details, eine hohe Schreibgeschwindigkeit und eine geringe Energie für die Speicherung eines einzelnen Bits. Die Information wird mit Hilfe von Kathodenlumineszenz oder Photolumineszenz (siehe Abbildung) ausgelesen. Die gespeicherten Informationen könnten je nach den Bedingungen, unter denen das Medium aufbewahrt wird, wieder aus den Defekten verschwinden, aber dieses „Abschalten“ ist von der Umgebungstemperatur abhängig. Bisherige Beobachtungen deuten auf eine Mindest-Archivierzeit von einigen Generationen unter normalen Bedingungen hin.
Der Ansatz kann auch auf andere Materialien mit optisch aktiven Defekten, einschließlich zweidimensionalen Materialien, ausgeweitet werden.
