Die StrongIRFET 2-Leistungs-MOSFETs in Ausführungen 80 und 100 V sind die neueste Generation dieser MOSFET-Technologie von Infineon. Sie eignen sich für ein breites Spektrum von Anwendungen – sowohl für niedrige als auch hohe Schaltfrequenzen. Die neue Technologie bietet einen um 40 % verbesserten Wert für RDS(on) und eine um über 50 % niedrigere Gate-Ladung (Qg) im Vergleich zu den bisherigen StrongIRFET-Bausteinen. Die höhere Leistungseffizienz sorgt für eine verbesserte Gesamt-Systemleistung.
Höhere Nennströme ermöglichen eine höhere Strombelastbarkeit. Damit ist es nicht mehr nötig, mehrere Bauelemente parallel zu schalten, was zu niedrigeren Stücklistenkosten und Einsparungen auf der Leiterplatte führt. Verschiedene Gehäusetypen (TO-220 FullPAK, ab 2022 auch D2PAK, D2PAK 7-Pin und DPAK) bieten für nahezu alle Anforderungen die passende StrongIRFET 2 Auswahl.
Diese robusten Leistungs-MOSFETs eignen sich für ein umfangreiches Spektrum an Anwendungen für Endverbraucher, wie Netzadapter, Fernsehgeräte, Elektrowerkzeuge und Gartengeräte sowie im industriellen und Automotive Umfeld, wie Robotik, Motorantriebe, Batterie-Management und leichte Elektrofahrzeuge wie E-Scooter.
