Ein neues Modell seiner vierten Generation von 600-V-Fast-Body-Diode-MOSFETs der EF-Serie präsentiert Vishay Intertechnology. Der neue n-Kanal-MOSFET SiHH070N60EF bietet im Vergleich zur Vorgängergeneration einen um 29 % geringeren On-Widerstand und eine um 60 % geringere Gate-Ladung. Durch seine hohe Energieeffizienz eignet er sich bestens für Stromversorgungsanwendungen in der Telekommunikation, Industrie und im Computerbereich.
Unter allen vergleichbaren Produkten am Markt bietet dieser MOSFET das kleinste Produkt aus Gate-Ladung und On-Widerstand – dies ist eine wichtige Kennzahl für Spannungswandler-Anwendungen. Damit ist das Device eine Antwort auf die steigenden Anforderungen an Energieeffizienz und Leistungsdichte in den beiden ersten Stufen der Energiewandler-Architektur – brückenlose Totem-Pole-Leistungsfaktorkorrektur (PFC) und ,sanft' schaltende DC/DC-Wandlertopologien.
Der neue MOSFET im PowerPAK-8x8-Gehäuse ist RoHS-konform und halogenfrei. Für die Überspannungsfestigkeit im Avalanche-Modus werden Grenzwerte garantiert, und das Bauteil wird auf Einhaltung dieser Spezifikation zu 100 % UIS-getestet. Lieferbar ist es ab sofort in Muster- und Produktionsstückzahlen bei einer Lieferzeit von zehn Wochen.
