Infineon Technologies präsentiert eine neue Generation von 1200-V CoolSiC-MOSFETs im TO263-7-Gehäuse für Automotive-Anwendungen. Die Siliciumkarbid-(SiC)-MOSFETs ermöglichen bidirektionales Laden und tragen zur Reduzierung der Systemkosten in On-Board-Charging (OBC)- und DC-DC-Anwendungen bei. Die 1200-V-Variante der CoolSiC-Familie weist im Vergleich zur ersten Generation 25 % geringere Schaltverluste auf. Das ermöglicht höhere Schaltfrequenzen, höhere Leistungsdichte und kleinere Systemgrößen. Mit einer Gate-Source-Schwellenspannung (VGS(th)) von über 4 V und einem sehr niedrigen Verhältnis zwischen Rückwirkungskapazität (Crss) und Eingangskapazität (Ciss) ermöglicht dies zuverlässiges Abschalten bei VGS = 0 V ohne parasitäre Einschaltvorgänge. Dies lässt unipolare Ansteuerung zu, was die Systemkomplexität und -kosten reduziert. Außerdem verringern sich durch den niedrigen Einschaltwiderstand (RDS(on)) die Leitungsverluste über den gesamten Temperaturbereich von -55 bis 175 °C.
Die XT-Aufbau- und Verbindungstechnologie führt zur signifikanten Verbesserung der thermischen Eigenschaften. Durch Anbindung an das Kühlsystem wird die Sperrschichttemperatur im Vergleich zur ersten Generation um 25 % reduziert. Zudem weist der MOSFET eine Kriechstrecke von 5,89 mm auf und erfüllt somit die Anforderungen für 800-V-Systeme auf Gehäuseebene, ohne dass zusätzliche Beschichtungsschritte in der Anwendung erforderlich sind.
Infineon bietet eine Vielzahl von RDS(on)-Varianten, darunter die einzige derzeit auf dem Markt erhältliche 9-mΩ-Variante im TO263-7-Gehäuse.
