Die neueste Generation der DDR4-DRAM-Module von ATP Electronics für Unternehmens- und Industrieanwendungen ermöglicht mit einer Datenübertragungsrate von bis zu 3200 MT/s (Megatransfers oder 106 Transfers pro Sekunde) einen Anstieg der maximalen Taktfrequenz. Sie sind mit Kapazitäten von 4 bis 128 GB lieferbar. Die Versorgungsspannung liegt bei 1,2 V. Hohe Performance bei geringerer Stromaufnahme ermöglicht Anwendungen in Telekommunikations-Infrastrukturen, Netzwerkspeichern, Network-Attached-Storage (NAS) Servern, Micro/Cloud-Servern und Embedded-Systemen wie Industrie-PCs. Die Module der früheren DDR3-Serie kombinieren eine Übertragungsrate von bis zu 1866 MT/s bei Versorgungsspannungen von 1,5 und 1,35 V.
Als optionale Zusatzausstattung ist ein anwendungskonformer Beschichtungsfilm zum Schutz der Module gegen Staub, Feuchtigkeit, Korrosion, Chemikalien sowie extreme Temperaturen verfügbar. Anti-Schwefel-Widerstände wehren die Auswirkungen von Schwefelverunreinigungen ab. Eine Goldfinger-Beschichtung mit 30 µm Dicke und die Platine mit sechs bis zehn Lagen an PCBA-Baugruppen sorgt für mechanische Zuverlässigkeit und Haltbarkeit der Module. Für industrielle Anwendungen ist optional auch eine Temperaturbeständigkeit von -40 bis 95 °C verfügbar. Diese DRAM-Module werden in der Regel in Hochleistungsumgebungen wie Rechenzentren und an schwer zugänglichen Orten installiert. Dabei ist eine ununterbrochene Datenverarbeitung unerlässlich. ATP Electronics ist ein führender Anbieter leistungsstarker und hochwertiger NAND-Flash- und DRAM-Speichermodule.
